Diode IR LD 274
Barrières photo-électriques IR, télécommandes, etc..., Boitier 5 mm de ?. Emission IR. Spécifications : Intensité énergétique : LD 274 : = 30 mW/sr. Centrée à 950 nm.

Diode IR SFH 415T
S’utilise pour l’installation de télécommande IR de grande puissance avec une portée plus longue. Spécifications : I = 100 mA, intensité énergétique : 25-30 mW/sr, 950 nm.

Diode IR LD 242-3
Diode d’émission de puissance pourvue d’une lentille de focalisation Boîtier TO-18. Centrée à 950 nm. 300 mA Angle 40°.

Diode IR CQY-58
S’utilise pour le montage de barrières photoélectriques miniatures. Spécifications : UF = 1.25 V IF = maxi. 50 mA, 2 - 4 mW/sr. Dimensions : 2,2 mm. Lentille ø 1,8 mm.

Photodiode BPW-43
Récepteur IR. Boîtier LED TO-5. Spécifications : I = 15 µA, 950 nm.

Vce : 0 70 V max. lc mA max. Puissance 150 mW max. Angle environ 20° - Plage de réception de 620 à 960 nm (870 mm).

Photodiode SFH 205
Diode IR au silicium très sensible, surface de rayonnement : 2,75 x 2,75 mm. Filtre lumière du jour. Dim. L x H : 5 x 22,5 mm.

Phototransistor BPY62-3
Récepteur IR. Boîtier TO-18. Centré à 850 nm Ip0,80 / 1,60 mA Uceo 50 V.